中芯国际：第二代FinFETN+1工艺可望于今年底小批量试产

梦的思恋2008

IT 之家 9 月 21 日消息 ，上周有投资者向中芯国际求证中芯关于下一代芯片量产消息，中芯国际回答表示：中芯国际第二代 FinFET N+1 已进入客户导入阶段，可望于 2020 年底进行小批量试产。


IT 之家了解到，中芯国际于 2019 年实现了国内最先进的 14nm 工艺制程量产，并已为华为麒麟 710A 芯片等进行代工。
今年 6 月，中芯国际表示，14nm 晶圆代工产能正处于初期布局阶段，因此全球份额相对较低，不过第一代 14nm FinFET 技术已进入量产阶段，而且技术上处于国际领先水平，且具有一定的性价比，目前已同众多客户开展合作，预测产能利用率可以稳定保持在较高水平。
而关于中芯国际在下一代技术节点的开发情况，中芯国际表示第二代 FinFET 技术目前已进入客户导入阶段，与第一代对比有望在性能上提高约 20%，功耗降低约 7%，面积缩小 63%。
中芯国际表示，14nm 及以下先进工艺主要应用于 5G 、人工智能、智能驾驶、高速运算等新兴领域，未来发展前景广阔。
中芯国际 12 英寸芯片 SN1 项目是中国内地第一条 14nm 及以下先进工艺生产线，规划月产能为 3.5 万片晶圆，目前已建成月产能 6000 片。
值得一提的是，目前由于外媒分析称中芯国际在第二代 FinFET 制程能效不及台积电 7nm 工艺，且有博主称中芯国际第二代 FinFET N+1 技术等效于台积电 8nm 工艺，因此不少媒体传出中芯国际官宣 8nm 的乌龙事件。